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SAMSUNGSSD M.2 PCIe 4.0 NVMe SAMSUNG 2TB 990 PRO Heatsink-7.450R/6.900WSSD M.2 PCIe 4.0 NVMe SAMSUNG 2TB 990 PRO Heatsink-7.450R/6.900WDescubra um desempenho poderoso com PCIe 4.0 e experimente velocidades incríveis para superar o seu adversário. O controlador térmico da Samsung oferece uma elevada eficiência energética, mantendo o máximo desempenho e altas velocidades. Características: - Potente SSD interno PCIe 4.0 NVMeTM para tarefas exigentes, como processamento de vídeo 4K e gráficos 3D, bem como jogos de alta exigência. - Velocidade incrível: velocidades de leitura/escrita até 7450/6900 MB/s. -Elevada fiabilidade graças à tecnologia Heat Spreader e Dynamic Thermal Guard do SSD para proteção contra sobreaquecimento e até 1.200 TBW - O software gratuito Samsung Magician otimiza o desempenho e mantém sempre a unidade atualizada. Especificações: Características gerais: -Aplicação: Cliente PC, Consolas de jogos - Capacidade: 2.000 GB (1 GB = 1 bilião de bytes pela IDEMA) * A capacidade utilizável real pode ser inferior (devido à formatação, particionamento, sistema operativo, aplicações ou outros) -Formato: M.2 (2280) -Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 -Memória de armazenamento: Samsung V-NAND 3-bit MLC -Controlador: controlador interno Samsung -Memória cache: Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Características especiais: -Suporte TRIM: Suportado - Suporte S.M.A.R.T: Suportado - Algoritmo de recolha automática de lixo GC (garbage collection) - Encriptação AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidade encriptada) -WWN: Não suportado -Suporte do modo de espera no dispositivo: Sim Desempenho: - Leitura sequencial: até 7450 MB/s * O desempenho pode variar em função do hardware e da configuração do sistema - Gravação sequencial: até 6900 MB/s * O desempenho pode variar em função do hardware e da configuração do sistema - Leitura aleatória (4 KB, QD32): até 1.400.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema - Gravação aleatória (4 KB, QD32): até 1.550.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema - Leitura aleatória (4 KB, QD1): até 22.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema - Gravação aleatória (4 KB, QD1): até 80.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema Em redor: - Consumo médio de energia: *Média: 5,5 W*Máximo: 8,5 W (modo burst)* O consumo real de energia pode variar em função do hardware e da configuração do sistema - Consumo de energia (inativo): Máx. 55 mW * O consumo real de energia pode variar em função do hardware e da configuração do sistema - Tensão suportada: 3,3 V ± 5% Tensão permitida - Durabilidade (MTBF): 1,5 milhões de horas Fiabilidade (MTBF) -Temperatura de funcionamento: 0 - 70º - Choques: 1.500 G e 0,5 ms (meio seno) Dimensões e peso: -Dimensões: 80 x 22 x 2,3 mm > catálogo de produtos > informáticaarmazenamento de dados > discos internos ssd387.00NovoProduto Limitado
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SSD M.2 PCIe 4.0 NVMe SAMSUNG 2TB 990 PRO Heatsink-7.450R/6.900W

EAN:8806094215038
Marca:SAMSUNG

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Descubra um desempenho poderoso com PCIe 4.0 e experimente velocidades incríveis para superar o seu adversário.
O controlador térmico da Samsung oferece uma elevada eficiência energética,mantendo o máximo desempenho e altas velocidades.

Características:

- Potente SSD interno PCIe 4.0 NVMeTM para tarefas exigentes,como processamento de vídeo 4K e gráficos 3D,bem como jogos de alta exigência.
- Velocidade incrível:velocidades de leitura/escrita até 7450/6900 MB/s.
-Elevada fiabilidade graças à tecnologia Heat Spreader e Dynamic Thermal Guard do SSD para proteção contra sobreaquecimento e até 1.200 TBW
- O software gratuito Samsung Magician otimiza o desempenho e mantém sempre a unidade atualizada.

Especificações:

Características gerais:

-Aplicação:Cliente PC,Consolas de jogos
- Capacidade:2.000 GB (1 GB=1 bilião de bytes pela IDEMA) * A capacidade utilizável real pode ser inferior (devido à formatação,particionamento,sistema operativo,aplicações ou outros)
-Formato:M.2 (2280)
-Interface:PCIe Gen 4.0 x4,NVMe 2.0
-Memória de armazenamento:Samsung V-NAND 3-bit MLC
-Controlador:controlador interno Samsung
-Memória cache:Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM

Características especiais:

-Suporte TRIM:Suportado
- Suporte S.M.A.R.T:Suportado
- Algoritmo de recolha automática de lixo GC (garbage collection)
- Encriptação AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidade encriptada)
-WWN:Não suportado
-Suporte do modo de espera no dispositivo:Sim

Desempenho:

- Leitura sequencial:até 7450 MB/s * O desempenho pode variar em função do hardware e da configuração do sistema
- Gravação sequencial:até 6900 MB/s * O desempenho pode variar em função do hardware e da configuração do sistema
- Leitura aleatória (4 KB,QD32):até 1.400.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema
- Gravação aleatória (4 KB,QD32):até 1.550.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema
- Leitura aleatória (4 KB,QD1):até 22.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema
- Gravação aleatória (4 KB,QD1):até 80.000 IOPS * O desempenho pode variar consoante o hardware e a configuração do sistema

Em redor:

- Consumo médio de energia:*Média:5,5 W*Máximo:8,5 W (modo burst)* O consumo real de energia pode variar em função do hardware e da configuração do sistema
- Consumo de energia (inativo):Máx.
55 mW * O consumo real de energia pode variar em função do hardware e da configuração do sistema
- Tensão suportada:3,3 V ± 5% Tensão permitida
- Durabilidade (MTBF):1,5 milhões de horas Fiabilidade (MTBF)
-Temperatura de funcionamento:0 - 70º
- Choques:1.500 G e 0,5 ms (meio seno)

Dimensões e peso:

-Dimensões:80 x 22 x 2,3 mm...