Marca: Samsung
Modelo: MZ-VAP8T0BW
Capacidade: 8 TB
Interface: PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Tamanho: M.2 (2280)
Desempenho: Leitura Sequencial: Até 14.800 MB/s
Gravação Sequencial: Até 13.400 MB/s
Leitura Aleatória (4 KB, QD32): Até 2.200.000 IOPS
Gravação Aleatória (4 KB, QD32): Até 2.600.000 IOPS
Características: Tipo de Memória: Samsung V-NAND TLC
Cache: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
Encriptação: Encriptação AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Unidade encriptada)
Resistência ao Choque: 1500G
Dimensões e Peso: 80,15 x 22,15 x 3,88 mm
- 9,5 g > catálogo de produtos > informáticaarmazenamento de dados > discos internos ssd2606.00NovoProduto Limitado
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- DESCRIÇÃO
Marca:Samsung
Modelo:MZ-VAP8T0BW
Capacidade:8 TB
Interface:PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Tamanho:M.2 (2280)
Desempenho:Leitura Sequencial:Até 14.800 MB/s
Gravação Sequencial:Até 13.400 MB/s
Leitura Aleatória (4 KB,QD32):Até 2.200.000 IOPS
Gravação Aleatória (4 KB,QD32):Até 2.600.000 IOPS
Características:Tipo de Memória:Samsung V-NAND TLC
Cache:Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
Encriptação:Encriptação AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Unidade encriptada)
Resistência ao Choque:1500G
Dimensões e Peso:80,15 x 22,15 x 3,88 mm
- 9,5 g...
