SILICON POWERSILICON POWER DDR3 4GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage
Geral
Capacidade: 4 GB
Tipo de actualização: Genérico
Memória
Tipo: DRAM módulo de memória
Tecnologia: DDR3L SDRAM
Factor de forma: SO DIMM 204-pinos
Altura do Módulo (polegadas): 1.19
Velocidade: 1600 MT/s (PC3L-12800)
Verificação de integridade dos dados: Sem ECC
Recursos: Fileira simples, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Baixa Voltagem, unbuffered
Organização dos Chips: 512 x 8
Voltagem: 1.35 V
Revestimento de terminais: Ouro > catálogo de produtos > informática > componentesmemórias ram > memória ram portateis27.00NovoProduto disponível
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Capacidade: 4 GB
Tipo de actualização: Genérico
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Tipo: DRAM módulo de memória
Tecnologia: DDR3L SDRAM
Factor de forma: SO DIMM 204-pinos
Altura do Módulo (polegadas): 1.19
Velocidade: 1600 MT/s (PC3L-12800)
Verificação de integridade dos dados: Sem ECC
Recursos: Fileira simples, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Baixa Voltagem, unbuffered
Organização dos Chips: 512 x 8
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- DESCRIÇÃO
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Tipo de actualização: Genérico
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Tecnologia: DDR3L SDRAM
Factor de forma: SO DIMM 204-pinos
Altura do Módulo (polegadas): 1.19
Velocidade: 1600 MT/s (PC3L-12800)
Verificação de integridade dos dados: Sem ECC
Recursos: Fileira simples,On-Die Termination (ODT),Serial Presence Detect (SPD),Baixa Voltagem,unbuffered
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Revestimento de terminais: Ouro ...
